一、技术要求
1．仪器用途
主要用磁控溅射方式（包括直流磁控溅射、射频磁控溅射、反应磁控溅射和共溅射等）制备纳米级单层及多层功能磁性材料薄膜，主要为多层磁性异质结、磁性隧道结、合金薄膜、半导体和氧化物及多种复合薄膜材料等。
2．工作条件
2.1工作温度和湿度：0 –40 ºC，20%–65%
2.2 电力要求：三相电，每相电流<70A，功率<30 kW
2.3 场地要求：不超过3m × 3m × 2.5 m（长×宽×高）
配置要求
3、具体要求
3.1主腔室
3.1.1具备溅射3英寸及以下尺寸基片的能力；
★3.1.2 3英寸SiO2硅片成膜均匀性优于±1.5%；
★3.1.3样品台可以在0-20RPM的范围内匀速转动；样品台可加热，可在氧气环境下加热，加热温度≥850℃，SHQ-15A PID控制，带TC输入，过温保护，控温稳定性≤±1℃；
★3.1.4 12个1.5英寸超高真空强磁靶枪（共焦设计及防氧化设计），配置独立的套筒和气动挡板(不能互相干涉)，并预留不少于1个超高真空强磁靶枪接口；
★3.1.5 可进行反应溅射和低压运行，采用向上溅射工作模式，工作距离可调节；靶枪偏转角度可在真空中原位调节；
★3.1.6 所有靶枪磁铁全部采用稀土磁铁材质，可被烘干至200℃，
1套
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适应真空度10E-11 Torr环境，无需在烘干系统前移除磁铁。磁铁安装在水冷系统外，确保后续维护、清洁、故障排除和维修的便利；
★3.1.7腔体预留定制多腔系统超高真空传片接口、RGA集成接口；预留至少4-6个法兰接口，满足后续升级需求；
★3.1.8 靶枪电源包括：3个直流电源（功率不小于750W），3个射频电源（功率不小于100W），带1个直流电源4相转换盒和电缆以及1个射频电源4相转换盒和电缆；
3.1.9 主腔体中可实现射频自偏压清洗功能（功率不小于100W）
★3.1.10配置超高真空阀门和主腔密封圈（主腔密封采用细线法兰金属密封圈，同时配置O-ring橡胶密封圈可以灵活更换使用）。
3.2 快速进样室（load-lock）
3.2.1从快速进样室进样，磁性传送臂，全量程真空计；
3.2.2 配备16cfm 普法干泵和不少于80升/秒宽量程涡轮分子泵抽系统。
3.3真空系统要求
★3.3.1真空系统配备Brooks CTI-8或同级别知名品牌低温泵抽系统，具有真空度自动控制功能，极限真空度至少达到9×10E-9Torr（升级后达到9×10E-10Torr）；
★3.3.2真空检测系统为MKS或同级别品牌，带同步显示三个测头输出信号，主腔室真空检测系统量程不少于10E-11Torr；
3.3高真空泵入口处设置隔离阀；
3.4. 气路系统要求
★3.4.1至少配置3路工艺气体管路（N2、O2、Ar）；MKS金属密封气路(Ar)-不少于95sccm，带气动隔离阀和过滤器；MKS金属密封气路(N2,O2)-不少于45sccm，带气动隔离阀和过滤器；
3.4.2 压力控制采用下游压力控制，通过真空计和PID控制器精确控制气压；
3.5. 控制系统要求
3.5.1 提供可编程Labview Phase II-J控制系统，包括但不限于以
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下功能：Windows图形用户界面和显示屏；软件具有可编程自动控制能力；能够通过显示屏实时显示系统真空、工艺气体流量、溅射功率、溅射时间等工艺参数及工艺过程；带有直流和射频电源接口，用于输出模式、定点、线性缓慢升温和等离子检测控制；
3.5.2操作软件应具备带多项自动保护功能、系统故障自检功能和提示报警功能；不少于100个单独密码保证工艺膜层和工艺安全性，采用多级进入系统操作，确保系统运行和真空控制的安全性；
3.5.3 独立的实时控制系统来实现设备操控，计算机死机或者程序退出不影响设备运行。单个靶枪或电源出现故障不影响系统其他部分运行；
3.5.4设备联网后可实现远程控制，异地工程师可进行远程操作进行维护、检查调试；
3.5.5具有开关位置/直流电源反馈，直流偏压反馈（射频），等离子体识别，工艺气压，气体流反馈，T/C温度反馈，并能将数据实时显示在PC上。
3.6样品传输
★3.6.1本腔体需要定制的法兰接口及样品托设计用于样品传输，以实现由磁控溅射生长的薄膜转移到其他腔体继续进行薄膜生长或者表征。
3.6.2样品（托）位于样品台上时其中心与样品传输法兰中心共轴，样品（托）中心与样品传输法兰匹配，以方便磁力杆抓取；
3.7功能验收
3.7.1生长20nm厚的SiO2薄膜进行验证，3英寸基片薄膜的均匀性优于±1.5%；
3.7.2 层间厚膜均匀性优于+-2%
技术要求
4.1样品在样品台上时，样品面朝下，样品下方有足够空间可插入样品转接器；